AlN(氮化铝)
用于半导体激光器或LED基片的子座(散热器)
氮化铝是一种高电绝缘性、低介电常数的材料。在表面上，可以形成各种金属化薄膜，用于电路、芯片安装和线粘接。
| 材料 | 商品名称/ 作文 |
特性 | 平均线性热膨胀系数 保留时间~ 400℃(ppm / K) |
热导率R.T.[W/(m·K)] |
|---|---|---|---|---|
| AlN | AlN (200 w) | 当需要绝缘和图案时，它是有用的。 | 4．5 | ＞200 |
| AlN (170 w) | 4．5 | ＞170 |