碳化硅(SiC)是一种极具发展前景的大功率、高效功率器件材料，它将促进社会的先进、节能。我们正在使用高质量和具有成本效益的生长技术(MPZ™*)开发SiC晶体和外延晶片。新设计的低功耗、高阻塞电压的SiC功率晶体管和模块也正在开发中。我们的电力系统设备将在不久的将来纳入这些碳化硅功率器件。

MPZ:多参数分区控制SiC生长技术

高品质碳化硅晶体和外延晶片

我们正在使用MPZ™技术开发高质量和大直径的SiC晶体，该技术可以准确控制晶体生长过程中的温度和反应过程。利用化学气相沉积(CVD)技术在切片和镜面抛光的SiC晶圆上生长单晶外延层。MPZ™提供具有世界顶级均匀性的高质量外延晶圆，并实现晶圆表面99%以上的无缺陷区域。这些晶圆已经以EpiEra™的商品名推出，并被授予电子材料部门的2018年半导体年度大奖，该奖项由电子设备行业新闻赞助。
SiC功率晶体管通过离子注入、绝缘膜形成和电极形成等半导体工艺在外延晶圆上制备。